Band 131 – Feldeffekttransistoren – Eigenschaften und Anwendung – Manfred Lessen

Feldeffekttransistoren - Eigenschaften und AnwendungTitel:  Feldeffekttransistoren – Eigenschaften und Anwendung

Autor: Manfred Lessen

Reihe: Amateurreihe electronica

Verlag: Militärverlag der Deutschen Demokratischen Republik

Erschienen: 1974

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Inhaltsverzeichnis:

Vorwort
Einleitung
1. Eigenschaften
1.1.        Besonderheiten der Feldeffekttransistoren gegen über bipolaren Transistoren und Elektronenröhren
1.2.       Wirkungsweise und Aufbau
1.3.       Der Sperrschichtfeldeffekttransistor
1.3.1.    Wesentliche Eigenschaften der Sperrschichtfeldeffekttransistoren
1.1.       MOS-Feldeffekttransistoren
1.1.1.    Sonderausführungen der MOS-Feldeffekttransistoren
1.1.1.1. MOSFET mit verkürzter Gateelektrode
1.1.1.2. Doppelgate-MOSFET
1.1.1.3. Gateschutzdiode
1.1.2.    Wesentliche Eigenschaften der MOS-Feldeffekttransistoren
1.5.       Statische Kennlinien
1.5.1.    Wirkungsweise einer Substratspannung auf das Kennlinienfeld
1.5.2.    Steuerung des Drainstroms über ein 2. Gate
1.6.       Definition statischer Kennwerte
1.6.1.    Schwellspannung – Abschnürspannung
1.6.2.    Drain-Source-Kurzschlußstrom
1.6.3.    Gate-Source-Reststrom
1.6.4.    Durchbruchspannungen
1.6.5.    Verlustleistung
1.6.6     Durchlaßwiderstand RDS
1.6.7.    Temperaturverhalten
1.7.       Statische Kennliniengleichungen
1.7.1.    Eingangskennlinienfeld
1.7.2.    Ausgangskennlinienfeld
1.8.       Dynamische Kennwerte
1.8.1.    Steilheit
1.8.2.    Ausgangsleitwert
1.8.3.    Ersatzschaltung
1.8.4.    Vierpolparameter
1.8.4.1. Arbeitspunktabhängigkeit der y-Parameter
1.8.4.2. Frequenzabhängigkeit der y-Parameter
1.8.5.    Rauschen
1.9.       Vorschriften für den Umgang mit MOSFET
1.9.1.    Schutz gegen elektrostatische Aufladungen .
1.9.2.    Biegebeanspruchung
1.9.3.    Torsions- und Zugbeanspruchung
1.9.4.    Lötung
1.9.5.    Allgemeine Richtlinien
2.          Schaltungsgrundlagen
2.1.       Grundschaltungen
2.1.1.    Sourceschaltung
2.1.2.    Gateschaltung
2.1.3.    Drainschaltung
2.2.       Arbeitspunkteinstellung
2.2.1.    Drainstromstabilisierung
2.2.2.    Schaltungstechnische Realisierung des Arbeitspunkts
2.3.       Anwendung als Verstärker
2.3.1.    Niederfrequenzstufen
2.3.1.1. Sourceschaltung
2.3.1.2. Drainschaltung
2.3.2.    Hochfrequenzeingangsstufen
2.3.2.1. Eingangsstufe in Sourceschaltung
2.3.2.2. Eingangsstufe in Gateschaltung
2.3.2.3. Eingangsstufe in Kaskodeschaltung
2.3.2.4. Eingangsstufe mit einem Doppelgate-MOS-Feldeffekttransistor
2.3.3.    Hochfrequenzmischstufen
2.4.       Der Feldeffekttransistor als gesteuerter Widerstand
2.5.       Hochohmiges DC-MOS-Voltmeter mit Ohmmeßbereichen
2.6.       Hochohmiges Vorschaltgerät für Vielfachmesser
2.7.       MOSFET als Parallelchopper
2.8.       Datenübersicht
Literaturhinweise

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